Спосіб обробки поверхні органічних кристалів

Abstract

Запропоновано спосіб обробки поверхні органічних кристалів, що забезпечує збереження точності геометричних розмірів кристалів, поліпшення сцинтиляційних характеристик кристалів та їх стабільності протягом експлуатації сцинтиляційних детекторів. Рішення поставленої задачі забезпечується тим, що спосіб обробки поверхні органічних кристалів, що включає шліфовку-поліровку поверхні кристалу з поступовим зменшенням зерен абразиву від 14 мкм до 3 мкм, промивку кристала, згідно з винаходом, додатково після промивки кристал засипають порошком вихідної сировини товщиною не менш ніж висота кристалу, нагрівають до (0,86-0,90) від температури його плавлення, відпалюють протягом 100–120 хвилин, охолоджують до кімнатної температури.