Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13354
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Шпилинская, Александра Л. | - |
dc.contributor.author | Kudin, Alexander M. | - |
dc.contributor.author | Андрющенко, Любов А. | - |
dc.contributor.author | Диденко, Анна В. | - |
dc.contributor.author | Зеленская, Ольга В. | - |
dc.date.accessioned | 2021-07-09T14:45:36Z | - |
dc.date.available | 2021-07-09T14:45:36Z | - |
dc.date.issued | 2020 | - |
dc.identifier.citation | ПТЭ. – 2020. – № 1. – С. 35-38. | ru_RU |
dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13354 | - |
dc.description.abstract | Предложен состав и способ нанесения гидрофобного защитного покрытия на входную для излучений поверхность кристаллов CsI:Tl. Покрытие представляет собой композицию из полимера (фторопластовый лак) и растворителя (этилацетат). Определен оптимальный состав композиции для нанесения покрытий толщиной приблизительно 2 мкм. Способ нанесения предусматривает предварительную выдержку образца в парах гексаметилдисилазана для увеличения адгезии покрытия к поверхности. Показано, что замена акриловой пленки толщиной 5 мкм на фторопластовое покрытие толщиной 2 мкм позволяет увеличить световой выход альфа-детектора на 14 %, а энергетическое разрешение улучшить от 6,28 % до 4,96 %. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | МАИК | ru_RU |
dc.subject | защитное покрытие | ru_RU |
dc.subject | кристаллы CsI(Tl) | ru_RU |
dc.subject | сцинтилляционные характеристики | ru_RU |
dc.subject | регистрация альфа-частиц | ru_RU |
dc.title | Защитное гидрофобное покрытие для кристаллов CsI(Tl) | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
покрытие_фторпл.pdf | 393,6 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.