Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/140
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кудин, Константин А. | - |
dc.contributor.author | Глушко, Владимир И. | - |
dc.contributor.author | Шляхтуров, Валерий И. | - |
dc.contributor.author | Волошко, Александр Ю. | - |
dc.contributor.author | Kudin, Alexander M. | - |
dc.date.accessioned | 2017-05-11T15:19:15Z | - |
dc.date.available | 2017-05-11T15:19:15Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Физическая инженерия поверхности 9 (4) 395-398 | en_US |
dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/140 | - |
dc.description.abstract | Методами оптической и электронной микроскопии изучена природа центров рассеяния света в кристаллах NaI:Tl. Показано, что преимущественным типом дефектов в областях захвата являются выделения новой фазы в виде полых стержней, которые ориентированы вдоль оси роста. Стержни суть газовые каналы диаметром около 50 нм, внутренняя поверхность которых покрыта поликристаллическим налетом. На основании того, что растворимость второй фазы в воде много меньше основного вещества, высказано предположение о том, что выделения связаны с карбонатами натрия и таллия. Сделан вывод о гетерогенном механизме образования таких дефектов. Это предположение согласуется с данными ИК спектрометрии о том, что локальное окружение ионов карбоната в областях захвата полностью не соответствует их окружению в регулярной решетке. | en_US |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.subject | светорассеяние, дефекты решетки, рост кристаллов | en_US |
dc.title | Природа выделений на внутренних поверхностях кристаллов NaI:Tl | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
nature of inclusion.pdf | 262,51 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.