Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/16632
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorTrefilova, L-
dc.date.accessioned2022-12-12T10:43:39Z-
dc.date.available2022-12-12T10:43:39Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/16632-
dc.description.abstractThe amplitude-time parameters of the A-luminescence at 3.12 eV are studied for CsI:Tl irradiated by a pulsed electron beam at temperatures 77-295 K. It has been established that the 3.12 eV band kinetics vary differently with temperature in two temperature ranges of 77-170K and 170-295K. The increase in temperature from 77 K to 170 K causes the decrease in the exponential decay time constant, while at temperatures above 170 K, there appeared the post-radiation rise stage followed by the slow exponential decay stage. The temperature behavior of the A-luminescence kinetics is interpreted in term of the model, according to which (i) the A-band is due to the allowed electron transition 61P161S0 of Tl+ ions and (ii) the main mechanism of the cathodoluminescence excitation of CsI:Tl at temperatures near room temperature is the spontaneous disintegration of donor-acceptor dipoles [Tl0Vk].uk_UA
dc.titleA-luminescence in CsI:Tl crystal excited by pulsed electron beamuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
аннотация.docx12,6 kBMicrosoft Word XMLПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.