Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/1909
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Тесленко, Олексій Олексійович | - |
dc.date.accessioned | 2017-06-17T09:16:45Z | - |
dc.date.available | 2017-06-17T09:16:45Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Динамiка та мiцнiсть машин. – 2010. – T. 1, N 69. - С. 142-146. – Режим доступу : DOI : 10.20998/2078-9130.2010.69.49500. | ru_RU |
dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/1909 | - |
dc.description | Application of photoelasticity finite elements method is investigated for research of residual stresses in the crystals that radiation-exposed infra-red laser. Residual stresses and mistakes are obtained. In supposition of two-dimensional stresses, the error is small, and the method is correct. | ru_RU |
dc.description.abstract | У роботі розглядається застосування методу кінцевих фотопружних елементів до дослідження залишкових напружень у кристалах опромінених ІК-лазером. Визначені залишкові напруження та помилка в їх значеннях. Доведено, що в припущенні двовимірних напружень величина помилки припустима , а сам метод визначення коректний. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | НТУ «ХПИ» | ru_RU |
dc.title | Применение метода конечных фотоупругих элементов к исследованию остаточных напряжений в монокристаллических пластинах, облученных ИК-лазером | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра пожежної і техногенної безпеки об'єктів та технологій |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
pdf_52_49500-99147-1-PB.pdf | 247,75 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.