Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/3080Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мелешко, А. | - |
| dc.contributor.author | Яковлев, В. | - |
| dc.contributor.author | Трефилова, Л.Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-06-21T12:49:24Z | - |
| dc.date.available | 2017-06-21T12:49:24Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Journal of Luminescence | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/3080 | - |
| dc.description | This paper studies charge transfer processes in CsI:Tl crystals by analyzing the bulk photo-conductivity spectra, the temperature behavior of the bulk photo-conductivity current and the shape and intensity of the activator emission pulse excited by an electron pulse beam and/or laser pulse emission at temperatures between 80 and 400 K. The Tl concentration in CsI:Tl crystals varies from 10 3–10 1 mass%. It has been determined that near-UV light induces a bulk conductivity in CsI:Tl crystals only when the Tl concentration is greater than 3 10 3 mass%. A mechanism is proposed to explain the charge transfer processes with photons whose energy is approximately half the width of the CsI band gap. Near-UV light causes charge transfer from I to Tlþ ions, forming Tl0 centers in the 6p2 P1/2 ground and 6p2 P3/2 excited states. The electron, assisted by phonons, leaves the Tl0 center from either the 6p2 P1/2 or 6p2 P3/2 states and overcomes the 0.13 or 0.30 eV energy barrier, respectively, and subsequently populates the activator conduction sub-bands, which are found inside the band gap of CsI:Tl. The formation of activator sub-bands is possible only above the threshold Tl concentration, i.e., above 3 10 3 mass%. | ru_RU |
| dc.description.abstract | У статті вивчаються процеси переносу заряду в кристалах CsI: Tl шляхом аналізу спектрів об'ємної фото-провідності, поведінка температури об'ємного струму фото-провідності, а також виду та інтенсивності імпульсу випромінювання активатора при збудженні електронним імпульсним пучком і / або лазерним імпульсним випромінюванням при температурах від 80 до 400 К. | ru_RU |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.publisher | Elsiver | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | ;№ 155 | - |
| dc.subject | імпульс | ru_RU |
| dc.subject | фото-провідність | ru_RU |
| dc.subject | температура | ru_RU |
| dc.subject | спектр | ru_RU |
| dc.subject | перенос заряду | ru_RU |
| dc.subject | кристали CsI:Tl | ru_RU |
| dc.subject | , активатор, випромінювання, електронний імпульсний пучок | ru_RU |
| dc.subject | збудження | ru_RU |
| dc.subject | лазер | ru_RU |
| dc.subject | сцинтиляційні матеріали | ua_UA |
| dc.subject | розробка датчиків | ua_UA |
| dc.title | Charge transfer processes in CsI:Tl using near-UV light | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| trefilova2014journal_luminescence.pdf | Charge transfer processes | 452,27 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.