Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4273
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Алексеев, В.Д. | - |
dc.contributor.author | Шпилинская, А.Л. | - |
dc.contributor.author | Карнаухова, А.Н. | - |
dc.contributor.author | Яковлев, В.Ю. | - |
dc.contributor.author | Трефилова, Л.Н. | - |
dc.contributor.author | Тарахно, О.В. | - |
dc.date.accessioned | 2017-09-30T11:20:46Z | - |
dc.date.available | 2017-09-30T11:20:46Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | сборник "Аспекты сцинтилляционной техники" | ru_RU |
dc.identifier.isbn | ISBN 978-966-02-8238-4 | - |
dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4273 | - |
dc.description | В результате исследования абсорбционных и люминесцентных свойств активаторных центров окраски, наведенных облучением в CsI(Tl), было установлено, что свечение электронных Tl0va+ центров окраски потушено при температуре выше 200К. Предложена модель, в рамках которой интерпретируются абсорбционные и люминесцентные свойства Tl2+vc– центров окраски. Участие Tl2+vc– в сцинтилляционном процессе сводится к резонансному переносу энергии от возбужденных Tl+ центров к Tl2+vc– центрам окраски. Люминесценция возникающих рекомбинационным путем Tl+vc– центров свечения изменяет спектр и форму сцинтилляционного импульса. Доказано, что радиационное повреждение не снижает конверсионной эффективности, но является причиной реабсорбции Tl+-сцинтилляций Tl0va+ центрами, которые становятся центрами тушения в диапазоне рабочих температур сцинтилляционоого детектора на основе CsI(Tl). | ru_RU |
dc.description.abstract | В температурном интервале 80-295К исследованы спектрально-кинетические свойства активаторных центров окраски Tl0va+ и Tl2+vс, наведенных облучением в CsI(Tl). Доказано, что дырочные Tl2+vc– центры выполняют функцию акцепторов в сцинтилляционном процессе, к которым резонансным путем передается энергия от возбужденных Tl+ центров без снижения конверсионной эффективности, но с изменением спектрального состава и формы сцинтилляционного импульса кристалла CsI:Tl. Доказано, что деградация светового выхода поврежденного радиацией кристалла CsI:Tl обусловлена только реабсорбцией, причиной которой является поглощение Tl+-сцинтилляций электронными Tl0va+ центрами окраски, которые при температурах свыше 200К превращаются в центры тушения. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Харьков "ИСМА" | ru_RU |
dc.subject | люминесценция | ru_RU |
dc.subject | CsI(Tl) | ru_RU |
dc.subject | центры окраски | ru_RU |
dc.subject | облучение | ru_RU |
dc.subject | сцинтиляційні матеріали | ua_UA |
dc.subject | розробка датчиків | ua_UA |
dc.title | Природа люминесценции наведенных облучением центров окраски в CsI:Tl и их роль в сцинтилляционном процессе | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Сборник-2016 (1).pdf | статья на стр. 167-185 | 12,89 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.