Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4273
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorАлексеев, В.Д.-
dc.contributor.authorШпилинская, А.Л.-
dc.contributor.authorКарнаухова, А.Н.-
dc.contributor.authorЯковлев, В.Ю.-
dc.contributor.authorТрефилова, Л.Н.-
dc.contributor.authorТарахно, О.В.-
dc.date.accessioned2017-09-30T11:20:46Z-
dc.date.available2017-09-30T11:20:46Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationсборник "Аспекты сцинтилляционной техники"ru_RU
dc.identifier.isbnISBN 978-966-02-8238-4-
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4273-
dc.descriptionВ результате исследования абсорбционных и люминесцентных свойств активаторных центров окраски, наведенных облучением в CsI(Tl), было установлено, что свечение электронных Tl0va+ центров окраски потушено при температуре выше 200К. Предложена модель, в рамках которой интерпретируются абсорбционные и люминесцентные свойства Tl2+vc– центров окраски. Участие Tl2+vc– в сцинтилляционном процессе сводится к резонансному переносу энергии от возбужденных Tl+ центров к Tl2+vc– центрам окраски. Люминесценция возникающих рекомбинационным путем Tl+vc– центров свечения изменяет спектр и форму сцинтилляционного импульса. Доказано, что радиационное повреждение не снижает конверсионной эффективности, но является причиной реабсорбции Tl+-сцинтилляций Tl0va+ центрами, которые становятся центрами тушения в диапазоне рабочих температур сцинтилляционоого детектора на основе CsI(Tl).ru_RU
dc.description.abstractВ температурном интервале 80-295К исследованы спектрально-кинетические свойства активаторных центров окраски Tl0va+ и Tl2+vс, наведенных облучением в CsI(Tl). Доказано, что дырочные Tl2+vc– центры выполняют функцию акцепторов в сцинтилляционном процессе, к которым резонансным путем передается энергия от возбужденных Tl+ центров без снижения конверсионной эффективности, но с изменением спектрального состава и формы сцинтилляционного импульса кристалла CsI:Tl. Доказано, что деградация светового выхода поврежденного радиацией кристалла CsI:Tl обусловлена только реабсорбцией, причиной которой является поглощение Tl+-сцинтилляций электронными Tl0va+ центрами окраски, которые при температурах свыше 200К превращаются в центры тушения.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherХарьков "ИСМА"ru_RU
dc.subjectлюминесценцияru_RU
dc.subjectCsI(Tl)ru_RU
dc.subjectцентры окраскиru_RU
dc.subjectоблучениеru_RU
dc.subjectсцинтиляційні матеріалиua_UA
dc.subjectрозробка датчиківua_UA
dc.titleПрирода люминесценции наведенных облучением центров окраски в CsI:Tl и их роль в сцинтилляционном процессеru_RU
dc.typeArticleru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Сборник-2016 (1).pdfстатья на стр. 167-18512,89 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.