1. eNUCPUIR
  2. Техногенно-екологічна безпека
  3. Кафедра прикладної механіки
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6086
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorС.О. Вамболь-
dc.contributor.authorІ.Т. Богданов-
dc.contributor.authorІ.Т. Богданов-
dc.contributor.authorЯ.О. Сичікова-
dc.contributor.authorО.М. Кондратенко-
dc.date.accessioned2018-01-10T08:45:52Z-
dc.date.available2018-01-10T08:45:52Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationJOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICSru_RU
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6086-
dc.description.abstractУ роботі представлено метод формування ниткоподібних оксидних нанокристалітів на поверхні монокристалічного арсеніду галію. Нанодроти було сформовано методом електрохімічного травлення у розчині соляної та бромистої кислот. Оцінено морфологічні властивості отриманих структур та пока- зано можливість застосування їх у якості газових сенсорів. Стабільність властивостей нанодротів з а- безпечується наявністю оксидної фази на їх верхівках та по поверхні. Нахил нанодротів пояснюється виходячи з стійкості кристалографічних площин їх граней.ru_RU
dc.language.isoukru_RU
dc.relation.ispartofseriesVol. 9 No 6;DOI: 10.21272/jnep.9(6).06016-
dc.subjectАрсенід галіюru_RU
dc.subjectНапівпровідникиru_RU
dc.subjectНанодротиru_RU
dc.subjectЕлектролітru_RU
dc.subjectЕлектрохімічне Травленняru_RU
dc.titleФормування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галіюru_RU
dc.typeArticleru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра прикладної механіки

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5-PB.pdf582,22 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.