Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6114Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | S. Vambol | - |
| dc.contributor.author | V. Vambol | - |
| dc.contributor.author | I . Bogdanov | - |
| dc.contributor.author | Y . Suchikova | - |
| dc.date.accessioned | 2018-01-10T09:47:03Z | - |
| dc.date.available | 2018-01-10T09:47:03Z | - |
| dc.date.issued | 2017-12 | - |
| dc.identifier.citation | EasternEuropean Journal of Enterprise Technologies | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6114 | - |
| dc.description.abstract | Усовершенствован способ фор- мирования пористого арсенида галлия в растворе соляной кисло- ты. Исследованы основные зако- номерности формирования пори- стых пространств. Показано, что морфологические свойства por- GaAs зависят от условий травле- ния. Исследовано влияние плот- ности тока, времени травления и состава электролита на поверх- ностную пористость, толщину пористого слоя и диаметр пор | ru_RU |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | 6/5(90);DOI: 10.15587/1729-4061.2017.118725 | - |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | морфология | ru_RU |
| dc.subject | пористые полу-проводники | ru_RU |
| dc.subject | условия травления | ru_RU |
| dc.subject | электрохимическое травление | ru_RU |
| dc.title | Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра прикладної механіки | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 10-PB.pdf | 1,95 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.