Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7288
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorKudin, Alexander M.-
dc.contributor.authorZaslavsky, Boris G.-
dc.contributor.authorVasetsky, Sergey I.-
dc.contributor.authorKolesnikov, Alexander V.-
dc.date.accessioned2018-08-26T18:24:53Z-
dc.date.available2018-08-26T18:24:53Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citation4th intern. conf. on Crystal Growth and Heat & Mass Transfer, Obninsk, Russia, 2001. Proceeding - p 176-182ru_RU
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7288-
dc.description.abstractIt has been shown that by introduction of polyatomic impurity ions the combined bands of the oscillation absorption of which partially overlap the region of the Plank radiation one can strongly affect the heat transfer and crystallization conditions. When growing large crystals by the automated method of pulling on a seed with feeding by the melt a positive effect of doping with impurity is achieved at relatively small concentrations of impurity ions which do not change yet the main scintillation characteristics of CsI(Tl) and CsI(Na). A qualitative explanation of the observed effect by the results of measurements of the absorption coefficient at room temperature is given in the present paperru_RU
dc.language.isoenru_RU
dc.publisherФизико-энергетический институт, Обнинскru_RU
dc.titleInfluence of polyatomic impurity ions on the growth process of alkali iodide crytalsru_RU
dc.typeArticleru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
growthkud.pdf165,63 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.