Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7293Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Vinograd, Eduard L. | - |
| dc.contributor.author | Goriletsky, Valentin I. | - |
| dc.contributor.author | Kovaleva, Ludmila V. | - |
| dc.contributor.author | Korsunova, Sophia P. | - |
| dc.contributor.author | Kudin, Alexander M. | - |
| dc.contributor.author | Mitichkin, Anatoly I. | - |
| dc.contributor.author | Panova, Alexandra N. | - |
| dc.contributor.author | Shakhova, Klavdia V. | - |
| dc.contributor.author | Shpilinskaya, Larisa N. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T21:07:28Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T21:07:28Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | Patent 97112901 China; 28.01.2000 | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7293 | - |
| dc.description.abstract | It has been proposed a new scintillation material on a base of CsI:Tl crystal with low afterglow and hight radiation hardness. | ru_RU |
| dc.language.iso | zh | ru_RU |
| dc.publisher | Patent office of China | ru_RU |
| dc.subject | CsI:Tl Crystal | ru_RU |
| dc.subject | Scintillation material | ru_RU |
| dc.subject | afterglow | ru_RU |
| dc.subject | radiation hardness | ru_RU |
| dc.title | Scintillation materials on a base of cesium iodide and methodb of its prepatation | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| patent_China.pdf | 137,37 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.