RESULTS OF STUDYING THE Cu/ ITO TRANSPARENT BACK CONTACTS FOR SOLAR CELLS SnO2:F/CdS/CdTe/ Cu/ITO

Abstract

Проведено дослідження прозорих тильних контак- тів Cu/ITO для сонячних елементів на основі CdTe, призначених для використання в тандемних і двосто- ронньо чутливих приладових структурах. Створення омічного контакту до базових шарів р-CdTe в умовах промислового виробництва не є економічним, оскільки тільки платина має необхідну для формування оміч- ного переходу роботу виходу електронів. Тому тради- ційно формують тунельні контакти, використовуючи при цьому тонкі плівки, що містять мідь або халькоге- нід міді. Однак дифузія міді в базовий шар призводить до деградації вихідних параметрів плівкових сонячних елементів на основі CdS/CdTe. Тому умови створення прозорих тильних контактів при використанні про- шарку міді потребують дослідження. Встановлено, що попереднє нанесення нанорозмірного шару міді на поверхню CdTe для формування тильного електро- да дозволяє сформувати якісний тунельний контакт. Показано, що отримані приладові структури мають високу деградаційну стійкість. Після 8 років експлу- атації величина ККД досліджуваних ФЕП практич- но збігається з початковим. Дослідження світлових вольт-амперних характеристик сонячних елементів SnO2:F/CdS/CdTe/Cu/ITO при освітленні з обох сторін дозволило встановити суттєві відмінності у вихідних параметрах і світлових діодних характеристиках при освітленні з боку скляної підкладки і з боку прозорого тильного електрода. Встановлені відмінності обумов- лені впливом тильного діода на ефективність фотое- лектричних процесів в базовому шарі. В досліджуваній структурі реалізується режим зверненого діода, коли тильний контакт являє собою діод, включений послі- довно по відношенню до основного діоду, що призво- дить до низьких значень ефективності при освітленні зі сторони тильного електроду. Отримані результа- ти демонструють необхідність у зменшенні товщини базового шару для створення ефективних двосторон- ньо чутливих елементів