Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7348
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Дейнеко, Н. В. | - |
dc.contributor.author | Семків, О. М. | - |
dc.contributor.author | Сошинський, О. І. | - |
dc.contributor.author | Стрілець, В. М. | - |
dc.contributor.author | Шевченко, Роман Іванович | - |
dc.date.accessioned | 2018-09-20T11:42:06Z | - |
dc.date.available | 2018-09-20T11:42:06Z | - |
dc.date.issued | 2018-08 | - |
dc.identifier.citation | EasternEuropean Journal of Enterprise Technologies | ru_RU |
dc.identifier.issn | 1729-3774 | - |
dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7348 | - |
dc.description.abstract | Проведено дослідження прозорих тильних контак- тів Cu/ITO для сонячних елементів на основі CdTe, призначених для використання в тандемних і двосто- ронньо чутливих приладових структурах. Створення омічного контакту до базових шарів р-CdTe в умовах промислового виробництва не є економічним, оскільки тільки платина має необхідну для формування оміч- ного переходу роботу виходу електронів. Тому тради- ційно формують тунельні контакти, використовуючи при цьому тонкі плівки, що містять мідь або халькоге- нід міді. Однак дифузія міді в базовий шар призводить до деградації вихідних параметрів плівкових сонячних елементів на основі CdS/CdTe. Тому умови створення прозорих тильних контактів при використанні про- шарку міді потребують дослідження. Встановлено, що попереднє нанесення нанорозмірного шару міді на поверхню CdTe для формування тильного електро- да дозволяє сформувати якісний тунельний контакт. Показано, що отримані приладові структури мають високу деградаційну стійкість. Після 8 років експлу- атації величина ККД досліджуваних ФЕП практич- но збігається з початковим. Дослідження світлових вольт-амперних характеристик сонячних елементів SnO2:F/CdS/CdTe/Cu/ITO при освітленні з обох сторін дозволило встановити суттєві відмінності у вихідних параметрах і світлових діодних характеристиках при освітленні з боку скляної підкладки і з боку прозорого тильного електрода. Встановлені відмінності обумов- лені впливом тильного діода на ефективність фотое- лектричних процесів в базовому шарі. В досліджуваній структурі реалізується режим зверненого діода, коли тильний контакт являє собою діод, включений послі- довно по відношенню до основного діоду, що призво- дить до низьких значень ефективності при освітленні зі сторони тильного електроду. Отримані результа- ти демонструють необхідність у зменшенні товщини базового шару для створення ефективних двосторон- ньо чутливих елементів | ru_RU |
dc.language.iso | en | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | 4/5 (94); | - |
dc.subject | телурид кадмію, прозорий тильний контакт, тандемна структура, двосторонньо чутли- вий фотоперетворювач | ru_RU |
dc.title | RESULTS OF STUDYING THE Cu/ ITO TRANSPARENT BACK CONTACTS FOR SOLAR CELLS SnO2:F/CdS/CdTe/ Cu/ITO | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Розташовується у зібраннях: | Статті |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
EEJET_Deуneko.pdf | 453,24 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.