Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8142
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorВамболь, Сергій Олександрович-
dc.contributor.authorБогданов, Ігор Тимофійович-
dc.contributor.authorВамболь, Віола Владиславівна-
dc.contributor.authorСичікова, Яна Олександрівна-
dc.contributor.authorКондратенко, Олександр Миколайович-
dc.contributor.authorНесторенко, Т. П.-
dc.contributor.authorОнищенко, С. В.-
dc.date.accessioned2019-01-01T18:22:18Z-
dc.date.available2019-01-01T18:22:18Z-
dc.date.issued2018-08-
dc.identifier.citationJournal of Nano- and Electronic Physics. – Vol. 10, № 4. – 2018. – pp. 04020-1 – 04020-6ru_RU
dc.identifier.issn2077-6772-
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8142-
dc.description.abstractУ роботі розглядаються шляхи підвищення ефективності електрохімічних суперконденсаторів за рахунок використання у якості електродів поруватих напівпровідників. Представлено методику виготовлення поруватого шару на поверхні фосфіду індію. Встановлено основні закономірності формування поруватих просторів та залежності морфологічних властивостей від режимів травлення. Для того,щоб забезпечити хімічну інертність наноструктурованої поверхні, запропоновано вкривати її шаром графіту. Це підвищує опір отриманих структур та стає підґрунтям для використання їх у якості електродів суперконденсаторів.ru_RU
dc.language.isoukru_RU
dc.publisherSumy State Universityru_RU
dc.subjectСуперконденсатор, Напівпровідники, Електрод, Фосфід індію, Наноструктури, Електрохімічне травленняru_RU
dc.titleImprovement of electrochemical supercapacitors by using nanostructured semiconductorsru_RU
dc.typeArticleru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра прикладної механіки

Файли цього матеріалу:
Немає файлів, що асоціюються з цим матеріалом.


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.