Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8421
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorАндрющенко, Любов А.-
dc.contributor.authorБояринцев, Андрій Ю.-
dc.contributor.authorГриньов, Борис В.-
dc.contributor.authorKudin, Alexander M.-
dc.contributor.authorКошель, Володимир І.-
dc.contributor.authorКовальчук, Сергій М.-
dc.contributor.authorТарасов, Володимир О.-
dc.date.accessioned2019-01-12T09:13:35Z-
dc.date.available2019-01-12T09:13:35Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationПатент 79015 UA; заявл. 08.04.2005; опубл. 10.05.2007; - ПВ № 6. - 4 с.ru_RU
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8421-
dc.descriptionПатент України 79015; патентовласник ІСМА НАНУru_RU
dc.description.abstractСпосіб обробки поверхні лужно-галоїдних кристалів, що полягає у шліфуванні їх торцевих поверхонь складом, який містить абразивний матеріал та змочувальну рідину, видаленні відходів шліфування шляхом промивання тетраетоксисиланом, обробки промитої поверхні з боку вхідного вікна сухим абразивним матеріалом з високою відбивною здатністю, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину використовують суміш олігодиметилсилоксану ПМС-5 і олігодіетилсилоксану ПЕС-3, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: олігодіетилсилоксан ПЕС-3 5-20 олігодиметилсилоксан ПМС-5 решта.ru_RU
dc.language.isoukru_RU
dc.publisherІнститут інтелектуальної власностіru_RU
dc.subjectкристалru_RU
dc.subjectповерхнева обробкаru_RU
dc.subjectтетраетоксисиланru_RU
dc.subjectолігодиметилсилоксанru_RU
dc.titleСпосіб обробки поверхні лужно-галоїдних кристалівru_RU
dc.title.alternativeСпособ обработки поверхности щелочно-галоидных кристалловru_RU
dc.typeOtherru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
pat_79015.pdf55,68 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.