Особенности тепломассопереноса при выращивании сложно легированных крупногабаритных щелочногалоидных кристаллов

Abstract

Приводятся результаты исследований по выращиванию крупногабаритных кристаллов CsI, активированных Tl+ и дополнительно легированных Na+ и CO32–. В данной работе в основном легирование рассматривается с позиций целенаправленного изменения теплофизических свойств материала с целью изменения условий тепломассопереноса в растущем кристалле. На примере кристалла CsI(Tl) сформулированы принципы, позволяющие оптимизировать значения концентраций примесей по критериям улучшения условий роста кристаллов и обеспечения заданных сцинтилляционных характеристик выросших кристаллов. Предложены способы введения примесей в расплав, позволяющие получать кристаллы с контролируемым содержанием всех трех примесей одновременно. Дается объяснение механизма влияния примесного состава кристалла на процессы тепломассопереноса в ростовой установке.