Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/12008
Назва: Electron bistability and switching effects in Mo/p-CdTe/Mo structure
Автори: Пирогов, Олександр Вікторович
Khrypunov, G.S.
Nikitin, V.O.
Rezinkin, O.L.
Drozdov, A.N.
Ключові слова: Electron, bistability, switching, effect, structure
Дата публікації: 29-січ-2020
Бібліографічний опис: Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Серія/номер: Том 31, випуск 5;С. 3855-3860
Короткий огляд (реферат): It has been experimentally shown that in a simple metal–semiconductor-metal structure with ohmic contacts, a reversible transition from a high-resistance state to a state with high electrical conductivity is possible under the influence of short current pulses of 80-ns duration with a peak voltage of more than 20 V. It was established that after the breakdown under static voltage, the structure irreversibly goes into a state with high electrical conductivity. At the same time, sections with negative differential resistance and negative differential conductivity appear on its low-frequency current–voltage characteristics at voltages less than 1 V. The most probable physical mechanisms that can provide such current–voltage characteristics are considered.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/12008
ISSN: 0957-4522 (print)
1573-482X (web)
Розташовується у зібраннях:Кафедра пожежної профілактики в населених пунктах

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Scopus_Electron bistability and switching effects_2020.pdf1,67 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.