К вопросу о фотохимическом окрашивании кристаллов CsI(Tl)

Abstract

С целью получения дополнительной информации о влиянии кислорода на окрашивание и поиска путей повышения фотохимической стойкости кристаллов CsI(Tl) исследована способность окрашиваться кристаллов CsI(Tl,SO4) (I) и CsI(Tl,CO3) (II), выращенных со специально введенными примесями сульфата и карбоната цезия, а также фотохимически нестойких кристаллов (III), выращенных в условиях контакта с атмосферой воздуха, до и после отжига в различных реактивных атмосферах (O2, CO2, I2, HI, пары H2O) при контроле за изменением ИК-спектров поглощения указанных кристаллов. О степени окрашивания судили по изменению интенсивности поглощения Tl2+ и Tl20-центров после изодозного облучения исследуемых кристаллов светом ртутной лампы из области ближнего УФ, а также длительного воздействия дневного света.