Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/24273
Назва: Особливості утворення іонів бікарбонату в сцинтиляційних кристалах Csl під дією γ-опромінення
Автори: Борисова, Лариса Володимирівна
Трефілова, Лариса Миколаївна
Шпилинська, Ольга Леонидівна
Соболєв, Олександр Вікторович
Ключові слова: Радіаційно-хімічні реакції, органічні домішки, опромінення
Дата публікації: тра-2024
Видавництво: Харків: НТУ «ХПІ»
Бібліографічний опис: Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров’я: тези доповідей ХXХІІ міжнародної науково-практичної конференції MicroCAD-2024, 22-25 травня 2024 р. / за ред. проф. Сокола Є.І. – Харків: НТУ «ХПІ». – 1664 с.
Короткий огляд (реферат): Досліджено причини забруднення кристалів CsI домішками гідроксиду та карбонату.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/24273
Розташовується у зібраннях:Кафедра організації та технічного забезпечення аварійно-рятувальних робіт

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Zbirnik-tez-MicroCAD-2024.pdf24,98 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.