Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/3305
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мелешко, А. | - |
dc.contributor.author | Яковлев, В. | - |
dc.contributor.author | Трефилова, Л.Н. | - |
dc.date.accessioned | 2017-06-26T11:13:18Z | - |
dc.date.available | 2017-06-26T11:13:18Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.citation | Journal of Luminescence | ru_RU |
dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/3305 | - |
dc.description | Методом спектроскопии с временным разрешением изучены свойства поглощения и люминесценции кристаллов CsI (Tl) окрашенных облучением. Предложенна схема электронных переходов в CsI (Tl) кристалла для объяснения появления центров окраски при воздействии ближнего УФ-излучения. | ru_RU |
dc.description.abstract | The absorption and luminescence properties of CsI(Tl) crystals colored by irradiation are studied by the method of the time-resolved spectroscopy. The scheme of the electron transitions in CsI(Tl) crystal is suggested to explain the appearance of the color centers under exposure to the near-UV light. It is established that either of the two types activator color centers holds the charge carrier with opposite sign. The model of the hole Tl2+vc activator color center is suggested. According to the model the positive charge of Tl2+ ion is compensated by the negative charge of a close cation vacancy vc. The color center emission reveals in the cathode-luminescence spectrum of the colored CsI(Tl) crystal. The high-dose irradiation of CsI(Tl) crystal results in the reduction of the decay time of the near-thallium self-trapped excitons (STE) emission. The decay kinetics of Tl2+vc emission contains the time components typical for the decay kinetics of near-thallium STE emission. The reason of the observed effects is the energy transfer from the near-thallium STE excitons to the color centers via the inductive-resonant mechanism. | ru_RU |
dc.language.iso | en | ru_RU |
dc.publisher | Elsevier | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | № 128; | - |
dc.subject | кристали CsI:Tl | ru_RU |
dc.subject | люминесценция | ru_RU |
dc.subject | поглинання | ru_RU |
dc.subject | спектроскопія | ru_RU |
dc.subject | схема електронних переходів | ru_RU |
dc.subject | УФ-світло | ru_RU |
dc.subject | розробка датчиків | ua_UA |
dc.subject | сцинтиляційні матеріали | ua_UA |
dc.title | Color centers in heavily irradiated CsI(Tl) crystals | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
trefilova2008journal_luminescence.pdf | центри забарвлення | 230,58 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.