Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4729| Назва: | Investigation of scintillation characteristics for CsI:Tl and NaI:Tl crystals under different surface treatment conditions |
| Автори: | Andryushchenko, Lubov A. Boyarintsev, Andrey Yu. Grinyov, Boris V. Kilimchuk, Inna V. Kudin, Alexander M. Tarasov, Vladimir A. Vyday, Yury T. |
| Ключові слова: | CsI:Tl and NaI:Tl crystals Scintillation characteristics Surface treatment Nonproportionality |
| Дата публікації: | 2006 |
| Бібліографічний опис: | Functional materials 13, 3 (2006) 534-537 |
| Короткий огляд (реферат): | The influence of mechanical and chemical methods of Csl: TI and Nal: TI crystals surface treatment on their scintillation characteristics at registration of short-range ionizing radiation has been investigated. It is shown that application of ultrathin silicon dioxide powder obtained by sol-gel method and organosilicon liquids at the polishing stage provides the near-surface layer of Csl: TI and Nal: TI crystals with minimum light yield nonuniformity. After grinding of the crystal surface, the stability of scintillation characteristics can be achieved by the surface treatment with tetraethoxy silane and oligo-(siloxane hydride) liquid. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4729 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| FM133-02.pdf | 199,28 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.