Research into regularities of pore formation on the surface of semiconductors

Abstract

Разработана схема управления про- цессом формирования пористых слоев на поверхности полупроводников методом электрохимического травления. Показано, что построенная схема может быть при- менена для различных случаев синтеза наноструктурированных полупроводни- ков. Исследованы процессы, лежащие в основе порообразования, которые опре- деляют морфологические свойства нано- структур. Исследовано относительное падение потенциала в слое Гельмгольца. Выделены основные морфологические кри- терии качества пористых наноструктур для применения их в солнечных батареях. С учетом этих критериев были получены пористые пространства на поверхности полупроводников А3В5