Please use this identifier to cite or link to this item:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6081| Title: | Research into regularities of pore formation on the surface of semiconductors |
| Authors: | S. Vambol V. Vambol I . Bogdanov Y . Suchikova O . Kondratenko |
| Keywords: | качество наноструктур полупроводники система управления электрохимическое травление пористые полупроводники слой Гельмгольца морфология |
| Issue Date: | Feb-2017 |
| Citation: | EasternEuropean Journal of Enterprise Technologies |
| Series/Report no.: | № 3/5(87);DOI: 10.15587/1729-4061.2017.104039 |
| Abstract: | Разработана схема управления про- цессом формирования пористых слоев на поверхности полупроводников методом электрохимического травления. Показано, что построенная схема может быть при- менена для различных случаев синтеза наноструктурированных полупроводни- ков. Исследованы процессы, лежащие в основе порообразования, которые опре- деляют морфологические свойства нано- структур. Исследовано относительное падение потенциала в слое Гельмгольца. Выделены основные морфологические кри- терии качества пористых наноструктур для применения их в солнечных батареях. С учетом этих критериев были получены пористые пространства на поверхности полупроводников А3В5 |
| URI: | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6081 |
| Appears in Collections: | Кафедра прикладної механіки |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.