Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6081| Назва: | Research into regularities of pore formation on the surface of semiconductors |
| Автори: | S. Vambol V. Vambol I . Bogdanov Y . Suchikova O . Kondratenko |
| Ключові слова: | качество наноструктур полупроводники система управления электрохимическое травление пористые полупроводники слой Гельмгольца морфология |
| Дата публікації: | лют-2017 |
| Бібліографічний опис: | EasternEuropean Journal of Enterprise Technologies |
| Серія/номер: | № 3/5(87);DOI: 10.15587/1729-4061.2017.104039 |
| Короткий огляд (реферат): | Разработана схема управления про- цессом формирования пористых слоев на поверхности полупроводников методом электрохимического травления. Показано, что построенная схема может быть при- менена для различных случаев синтеза наноструктурированных полупроводни- ков. Исследованы процессы, лежащие в основе порообразования, которые опре- деляют морфологические свойства нано- структур. Исследовано относительное падение потенциала в слое Гельмгольца. Выделены основные морфологические кри- терии качества пористых наноструктур для применения их в солнечных батареях. С учетом этих критериев были получены пористые пространства на поверхности полупроводников А3В5 |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6081 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра прикладної механіки |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3-PB.pdf | 1,96 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.