Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6113
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorS. Vambol-
dc.contributor.authorV. Vambol-
dc.contributor.authorI . Bogdanov-
dc.contributor.authorY . Suchikova-
dc.date.accessioned2018-01-10T09:42:20Z-
dc.date.available2018-01-10T09:42:20Z-
dc.date.issued2017-12-
dc.identifier.citationEasternEuropean Journal of Enterprise Technologiesru_RU
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6113-
dc.description.abstractУсовершенствован способ фор- мирования пористого арсенида галлия в растворе соляной кисло- ты. Исследованы основные зако- номерности формирования пори- стых пространств. Показано, что морфологические свойства por- GaAs зависят от условий травле- ния. Исследовано влияние плот- ности тока, времени травления и состава электролита на поверх- ностную пористость, толщину пористого слоя и диаметр порru_RU
dc.language.isoenru_RU
dc.relation.ispartofseries6/5(90);DOI: 10.15587/1729-4061.2017.118725-
dc.subjectарсенид галлияru_RU
dc.subjectэлектрохимическое травлениеru_RU
dc.subjectпористые полупроводникиru_RU
dc.subjectусловия травленияru_RU
dc.subjectморфологияru_RU
dc.titleResearch into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenideru_RU
dc.typeArticleru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра прикладної механіки

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
10-PB.pdf1,95 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.