Please use this identifier to cite or link to this item:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6113| Title: | Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide |
| Authors: | S. Vambol V. Vambol I . Bogdanov Y . Suchikova |
| Keywords: | арсенид галлия электрохимическое травление пористые полупроводники условия травления морфология |
| Issue Date: | Dec-2017 |
| Citation: | EasternEuropean Journal of Enterprise Technologies |
| Series/Report no.: | 6/5(90);DOI: 10.15587/1729-4061.2017.118725 |
| Abstract: | Усовершенствован способ фор- мирования пористого арсенида галлия в растворе соляной кисло- ты. Исследованы основные зако- номерности формирования пори- стых пространств. Показано, что морфологические свойства por- GaAs зависят от условий травле- ния. Исследовано влияние плот- ности тока, времени травления и состава электролита на поверх- ностную пористость, толщину пористого слоя и диаметр пор |
| URI: | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6113 |
| Appears in Collections: | Кафедра прикладної механіки |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.