Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6113
Назва: Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide
Автори: S. Vambol
V. Vambol
I . Bogdanov
Y . Suchikova
Ключові слова: арсенид галлия
электрохимическое травление
пористые полупроводники
условия травления
морфология
Дата публікації: гру-2017
Бібліографічний опис: EasternEuropean Journal of Enterprise Technologies
Серія/номер: 6/5(90);DOI: 10.15587/1729-4061.2017.118725
Короткий огляд (реферат): Усовершенствован способ фор- мирования пористого арсенида галлия в растворе соляной кисло- ты. Исследованы основные зако- номерности формирования пори- стых пространств. Показано, что морфологические свойства por- GaAs зависят от условий травле- ния. Исследовано влияние плот- ности тока, времени травления и состава электролита на поверх- ностную пористость, толщину пористого слоя и диаметр пор
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6113
Розташовується у зібраннях:Кафедра прикладної механіки

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
10-PB.pdf1,95 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.