Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6113| Назва: | Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide |
| Автори: | S. Vambol V. Vambol I . Bogdanov Y . Suchikova |
| Ключові слова: | арсенид галлия электрохимическое травление пористые полупроводники условия травления морфология |
| Дата публікації: | гру-2017 |
| Бібліографічний опис: | EasternEuropean Journal of Enterprise Technologies |
| Серія/номер: | 6/5(90);DOI: 10.15587/1729-4061.2017.118725 |
| Короткий огляд (реферат): | Усовершенствован способ фор- мирования пористого арсенида галлия в растворе соляной кисло- ты. Исследованы основные зако- номерности формирования пори- стых пространств. Показано, что морфологические свойства por- GaAs зависят от условий травле- ния. Исследовано влияние плот- ности тока, времени травления и состава электролита на поверх- ностную пористость, толщину пористого слоя и диаметр пор |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6113 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра прикладної механіки |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 10-PB.pdf | 1,95 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.