Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7228Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гектин, Александр В. | - |
| dc.contributor.author | Ширан, Наталья В. | - |
| dc.contributor.author | Серебряный, Владимир Я. | - |
| dc.contributor.author | Kudin, Alexander M. | - |
| dc.contributor.author | Чаркина, Тамара А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-20T21:08:29Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-20T21:08:29Z | - |
| dc.date.issued | 1992 | - |
| dc.identifier.citation | Оптика и спектроскопия, том 72, вып. 5, с. 1061-1063 | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7228 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы особенности люминесценции деформированных кристаллов CsI. Показано, что главную роль в усилении свечения в области 430-530 нм играют вакансионные центры, причем их структура и особенности локализации электронных возбуждений определяют спектральные характеристики люминесценции. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.subject | кристаллы CsI | ru_RU |
| dc.subject | люминесценция | ru_RU |
| dc.subject | вакансионные дефекты | ru_RU |
| dc.subject | деформация | ru_RU |
| dc.title | Роль вакансионных дефектов в люминесценции CsI | ru_RU |
| dc.title.alternative | Role of vacancy defects in luminescence of CsI | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Opt_Spect_92.pdf | 8,45 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.