Please use this identifier to cite or link to this item:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7228| Title: | Роль вакансионных дефектов в люминесценции CsI |
| Other Titles: | Role of vacancy defects in luminescence of CsI |
| Authors: | Гектин, Александр В. Ширан, Наталья В. Серебряный, Владимир Я. Kudin, Alexander M. Чаркина, Тамара А. |
| Keywords: | кристаллы CsI люминесценция вакансионные дефекты деформация |
| Issue Date: | 1992 |
| Citation: | Оптика и спектроскопия, том 72, вып. 5, с. 1061-1063 |
| Abstract: | Исследованы особенности люминесценции деформированных кристаллов CsI. Показано, что главную роль в усилении свечения в области 430-530 нм играют вакансионные центры, причем их структура и особенности локализации электронных возбуждений определяют спектральные характеристики люминесценции. |
| URI: | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7228 |
| Appears in Collections: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Opt_Spect_92.pdf | 8,45 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.