Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7228| Назва: | Роль вакансионных дефектов в люминесценции CsI |
| Інші назви: | Role of vacancy defects in luminescence of CsI |
| Автори: | Гектин, Александр В. Ширан, Наталья В. Серебряный, Владимир Я. Kudin, Alexander M. Чаркина, Тамара А. |
| Ключові слова: | кристаллы CsI люминесценция вакансионные дефекты деформация |
| Дата публікації: | 1992 |
| Бібліографічний опис: | Оптика и спектроскопия, том 72, вып. 5, с. 1061-1063 |
| Короткий огляд (реферат): | Исследованы особенности люминесценции деформированных кристаллов CsI. Показано, что главную роль в усилении свечения в области 430-530 нм играют вакансионные центры, причем их структура и особенности локализации электронных возбуждений определяют спектральные характеристики люминесценции. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7228 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Opt_Spect_92.pdf | 8,45 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.