Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
                
    
    http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7284| Назва: | On the State of Activator in CsI(Na) Crystals Grown Under Forced Mixing of the Melt | 
| Автори: | Panova, Alexandra N. Vinograd, Eduard L. Goriletsky, Valentin I. Korsunova, Sophia P. Kosinov, Nicolay N. Kudin, Alexander M. Shakhova, Klavdiya V. | 
| Ключові слова: | CsI:Na Crystal crystal growth activator concentration Light yield | 
| Дата публікації: | 1998 | 
| Видавництво: | Харьков: "Институт монокристаллов" | 
| Бібліографічний опис: | Functional Materials. 1998 - vol. 5, 4. – P.480-483. | 
| Короткий огляд (реферат): | Effect of Nal concentration (C) on variations of some Csl(Na) crystal characteristlcs has been studied. The characteristics considered include: the optical absorption coefficient in the activator band; emission intensities of excitons localized at Na+ ions (420 nm) and in the regular lattice (840 nm) in the radioluminescence (RL) at 80 K; yields of stationary RL (241Am, 60 kev) (trnJ, y-scintillation 11s76s, 662 kev) (lr) and cr-scintillation (241Am, 5.9 meV) (Zo) for Csl(-lG) crystals grown under the forced melt mixing. The number of activator emission centers in those crystals has been shown to increase linearly as C rises up to about 2.2'l}-z mol.%. The -Lo value attains a maximum at C = 2.3.10-2 mol.% Nal while those of. Lpy and. L", at C = 910-3 moluh. The Nal solubility in Csl has been concluded to be at least 2.'2.10-2 mol.oh and thus to exceed substantially the literature data (from 8.10-3 mol.% to 1.10-2 mol.%). Therefore, the maximum tro value is due to a sufficient number of emission centers at the specified excitation density. The fact that the C value corresponding to the maximum .L" of Csl(Na) is lower than for Csl(Tl) crystals (about 2.5..1O-2 mol.% of Tll) is assumed io be caused by a larger size of the distorted lattice volume in the neighborhood of the light Na+ cation where the probability of the hole localization is increased. | 
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7284 | 
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін | 
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Статья-1.PDF | 5 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити | 
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.



