Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7285
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorKovaleva, Ludmila V.-
dc.contributor.authorShpilinskaya, Larisa N.-
dc.contributor.authorKudin, Alexander M.-
dc.contributor.authorMitichkin, Anatoly I.-
dc.contributor.authorCharkina, Tamara A.-
dc.date.accessioned2018-08-26T08:46:36Z-
dc.date.available2018-08-26T08:46:36Z-
dc.date.issued1998-
dc.identifier.citationFunctional Materials, 1998 – vol. 5, 4. – P.484-489.ru_RU
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7285-
dc.description.abstractThe presence of BO; ions has been found to cause photochemical and radiation-chemical coloration of Csl(Tl) crystals, similarly to the case of CO3- ions; the spectral composition of formed centers is the same in both cases. The formation mechanism of radiation-induced defects in Csl(Tl,BO2) crystais due to BO2; ion destruction under F-center formation has been considered. A model of F-Iike color centers including thallium ions is discussed. Absorption bands at 430 and 520 nm are ascribed to transitions in Tl! center disturbed by an anionic vacancy while that at 830 nm, by transitions in F-center disturbed by a (Tl+-Tl+) oneru_RU
dc.language.isoenru_RU
dc.publisherХарьков: "Институт монокристаллов"ru_RU
dc.subjectCsI Crystalru_RU
dc.subjectScintillation detecrorsru_RU
dc.subjectborate ionru_RU
dc.subjectradiation hardnessru_RU
dc.titleFormation of Radiation-Induced Defects in CsI(Tl) Crystals Containing BO2– Ionsru_RU
dc.title.alternativeОбразование радиационно-стимулированных дефектов в кристаллах CsI:Tl, содержащих борат-ионыru_RU
dc.typeArticleru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Статья-2.PDF7,61 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.