Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7285| Назва: | Formation of Radiation-Induced Defects in CsI(Tl) Crystals Containing BO2– Ions |
| Інші назви: | Образование радиационно-стимулированных дефектов в кристаллах CsI:Tl, содержащих борат-ионы |
| Автори: | Kovaleva, Ludmila V. Shpilinskaya, Larisa N. Kudin, Alexander M. Mitichkin, Anatoly I. Charkina, Tamara A. |
| Ключові слова: | CsI Crystal Scintillation detecrors borate ion radiation hardness |
| Дата публікації: | 1998 |
| Видавництво: | Харьков: "Институт монокристаллов" |
| Бібліографічний опис: | Functional Materials, 1998 – vol. 5, 4. – P.484-489. |
| Короткий огляд (реферат): | The presence of BO; ions has been found to cause photochemical and radiation-chemical coloration of Csl(Tl) crystals, similarly to the case of CO3- ions; the spectral composition of formed centers is the same in both cases. The formation mechanism of radiation-induced defects in Csl(Tl,BO2) crystais due to BO2; ion destruction under F-center formation has been considered. A model of F-Iike color centers including thallium ions is discussed. Absorption bands at 430 and 520 nm are ascribed to transitions in Tl! center disturbed by an anionic vacancy while that at 830 nm, by transitions in F-center disturbed by a (Tl+-Tl+) one |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7285 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Статья-2.PDF | 7,61 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.