Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8265| Назва: | Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal |
| Інші назви: | Влияние центров окраски на люминесцентный отклик радиационно-поврежденного кристалла CsI:Tl |
| Автори: | Тарахно, О.В. |
| Ключові слова: | energy transfer |
| Дата публікації: | січ-2018 |
| Бібліографічний опис: | Funct. Mater. 2018; 25 (1):13-20 |
| Короткий огляд (реферат): | Luminescence properties of Tl0va+ and Tl2+vс– color centers induced by irradiation in CsI:Tl crystal are studied within a temperature range of 80-300 K. It is found, that electron Tl0va+ and hole Tl2+vc– color centers arising due to radiation damage does not reduce conversion efficiency of CsI:Tl crystal, but participate in scintillation process to get energy from Tl+ centers by resonance. Degradation of the light yield of the irradiated CsI:Tl crystal is due to the radiative energy transfer from Tl+ to Tl0va+ centers, whose emission is quenching at temperature above 210 K. Non-radiative energy transfer from Tl+ to Tl2+vc– centers results in long-wave spectral shifts and the duration increase of the scintillation pulse |
| Опис: | Изучены люминесцентные свойства центров окраски Tl0va+ и Tl2+vс–, наведенных облучением в кристалле CsI:Tl, в интервале температур 80-300 К. Установлено, что центры окраски электронов Tl0va+ и дырочных Tl2+vс–, возникающие вследствие радиационного повреждения не снижает конверсионную эффективность преобразования кристалла CsI:Tl, но участвует в процессе сцинтилляции для получения энергии от Tl+-центров посредством резонанса. Ухудшение светового выхода облученного кристалла CsI:Tl обусловлено переносом излучательной энергии от Tl+-центров к Tl0va+-центрам, излучение которых потушено при температуре свыше 210 К. Безызлучательный перенос энергии от Tl+ к Tl2+vc– центрам приводит к длинноволновому спектральному сдвигу и увеличению длительности сцинтилляционного импульса. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8265 |
| ISSN: | https://doi.org/10.15407/fm.25.01.13 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| fm251-013 (1).pdf | article | 930,18 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.