Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8456Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Богданов І.Т. | - |
| dc.contributor.author | Сичікова Я.О. | - |
| dc.contributor.author | Вамболь С.О. | - |
| dc.contributor.author | Вамболь В.В. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-01-13T09:22:19Z | - |
| dc.date.available | 2019-01-13T09:22:19Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8456 | - |
| dc.description.abstract | Спосіб отримання нанодротів на поверхні арсеніду галію, що включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристалу GaAs (111) у водному розчині соляної і бромистої кислот (5Н2О+1НСl+1НВr) протягом 20-60 хвилин, при щільності струму j=50 mA/cm2, температурі електроліту 50 ºC. | ru_RU |
| dc.language.iso | uk | ru_RU |
| dc.subject | Патент на корисну модель | ru_RU |
| dc.title | Спосіб отримання нанодротів на поверхні арсеніду галію | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра організації та технічного забезпечення аварійно-рятувальних робіт | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Патент-129114_Вамболь.pdf | 278,62 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.