Please use this identifier to cite or link to this item:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8456| Title: | Спосіб отримання нанодротів на поверхні арсеніду галію |
| Authors: | Богданов І.Т. Сичікова Я.О. Вамболь С.О. Вамболь В.В. |
| Keywords: | Патент на корисну модель |
| Issue Date: | 2018 |
| Abstract: | Спосіб отримання нанодротів на поверхні арсеніду галію, що включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристалу GaAs (111) у водному розчині соляної і бромистої кислот (5Н2О+1НСl+1НВr) протягом 20-60 хвилин, при щільності струму j=50 mA/cm2, температурі електроліту 50 ºC. |
| URI: | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8456 |
| Appears in Collections: | Кафедра організації та технічного забезпечення аварійно-рятувальних робіт |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Патент-129114_Вамболь.pdf | 278,62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.