Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8456| Назва: | Спосіб отримання нанодротів на поверхні арсеніду галію |
| Автори: | Богданов І.Т. Сичікова Я.О. Вамболь С.О. Вамболь В.В. |
| Ключові слова: | Патент на корисну модель |
| Дата публікації: | 2018 |
| Короткий огляд (реферат): | Спосіб отримання нанодротів на поверхні арсеніду галію, що включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристалу GaAs (111) у водному розчині соляної і бромистої кислот (5Н2О+1НСl+1НВr) протягом 20-60 хвилин, при щільності струму j=50 mA/cm2, температурі електроліту 50 ºC. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8456 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра організації та технічного забезпечення аварійно-рятувальних робіт |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Патент-129114_Вамболь.pdf | 278,62 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.