Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8906
Назва: Причины и возможные пути снижения миллисекундного послесвечения в кристаллах CsI:Tl
Інші назви: Reasons and possible ways to suppress millisecond afterglow in CsI:Tl crystal
Автори: Овчаренко, Наталия В.
Kudin, Alexander M.
Старжинский, Николай Г.
Шпилинская, Александра Л.
Ключові слова: CsI Crystal
afterglow
co-doping
complex lattice defect
Дата публікації: 2010
Видавництво: Институт кристаллографии
Бібліографічний опис: Тезисы докладов НКРК-2010. - т, 1. - С. 17.
Серія/номер: т. 1;
Короткий огляд (реферат): В работе рассмотрены причины и возможные пути снижения миллисекундного послесвечения кристаллов CsI:Tl. Основной причиной возникновения миллисекундного ПС являются, как мы полагаем, катионные двух- и трехвалентные примеси и связанные с ними ловушки, термическая стабильность которых соответствует температуре 190-215K. Химический анализ коммерческого сырья и преднамеренное введение катионных примесей, таких как Sr2+, Cd2+, Ba2+, Mn2+, Eu2+, Fe3+, Bi3+ в кристаллы CsI:Tl показали, что наиболее вероятными причинами появления миллисекундного ПС является загрязнение исходного сырья катионами Ba2+ либо растущего кристалла катионами Fe3+.
Опис: доклад на Национальной конф. по росту кристаллов в Институте кристаллографии
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8906
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
afterglow_NCCG_10.pdf96,1 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.