Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/9421Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Шпилинська, О.Л. | - |
| dc.contributor.author | Трефiлова, Л.М. | - |
| dc.contributor.author | Положій, Е.М. | - |
| dc.contributor.author | Лебединський, О.М. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-10-11T11:35:55Z | - |
| dc.date.available | 2019-10-11T11:35:55Z | - |
| dc.date.issued | 2019-05 | - |
| dc.identifier.citation | Трефiлова Л.М., Положій Е.М., Лебединський О.М., Шпилинська О.Л. Фактори, що впливають на радіаційне пошкодження сцинтиляційного кристала CSI / Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров’я: тези доповідей ХXVІІ міжнародної науково-практичної конференції MicroCAD-2019, 15–17 травня 2019 р.: у 5 ч. Ч. V. / за ред. проф. Сокола Є.І. – Харків: НТУ “ХПІ”. – с. 143. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/9421 | - |
| dc.description.abstract | Відповідно до проведених експериментів, під час опромінення навіть відносно невеликими дозами 1-100 Гр у кристалі CsI утворюються F-центри. Причиною їх утворення є забрудненість домішками OH–- і CO3 2–-іонів. Вказані іони утворюються внаслідок процесів гідролізу і піролізу, що проходять у процесі вирощування кристала CsI. У доповіді запропоновано механізм утворення F-центрів за участю вказаних кисневмісних іонів | ru_RU |
| dc.language.iso | uk | ru_RU |
| dc.publisher | НТУ “ХПІ” | ru_RU |
| dc.subject | кристал CsI | ru_RU |
| dc.subject | утворення F-центрів | ru_RU |
| dc.subject | механізм | ru_RU |
| dc.subject | розробка датчиків | ru_RU |
| dc.title | Фактори, що впливають на радіаційне пошкодження сцинтиляційного кристала CSI | ru_RU |
| dc.type | Thesis | ru_RU |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ТЕЗИ MicroCAD 2019 ВІТВ НТУ ХПІ-Трефилова.pdf | Утворення F- центрів кристала CsI | 389,73 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.