Please use this identifier to cite or link to this item:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/9421| Title: | Фактори, що впливають на радіаційне пошкодження сцинтиляційного кристала CSI |
| Authors: | Шпилинська, О.Л. Трефiлова, Л.М. Положій, Е.М. Лебединський, О.М. |
| Keywords: | кристал CsI утворення F-центрів механізм розробка датчиків |
| Issue Date: | May-2019 |
| Publisher: | НТУ “ХПІ” |
| Citation: | Трефiлова Л.М., Положій Е.М., Лебединський О.М., Шпилинська О.Л. Фактори, що впливають на радіаційне пошкодження сцинтиляційного кристала CSI / Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров’я: тези доповідей ХXVІІ міжнародної науково-практичної конференції MicroCAD-2019, 15–17 травня 2019 р.: у 5 ч. Ч. V. / за ред. проф. Сокола Є.І. – Харків: НТУ “ХПІ”. – с. 143. |
| Abstract: | Відповідно до проведених експериментів, під час опромінення навіть відносно невеликими дозами 1-100 Гр у кристалі CsI утворюються F-центри. Причиною їх утворення є забрудненість домішками OH–- і CO3 2–-іонів. Вказані іони утворюються внаслідок процесів гідролізу і піролізу, що проходять у процесі вирощування кристала CsI. У доповіді запропоновано механізм утворення F-центрів за участю вказаних кисневмісних іонів |
| URI: | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/9421 |
| Appears in Collections: | Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ТЕЗИ MicroCAD 2019 ВІТВ НТУ ХПІ-Трефилова.pdf | Утворення F- центрів кристала CsI | 389,73 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.