Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/9421| Назва: | Фактори, що впливають на радіаційне пошкодження сцинтиляційного кристала CSI |
| Автори: | Шпилинська, О.Л. Трефiлова, Л.М. Положій, Е.М. Лебединський, О.М. |
| Ключові слова: | кристал CsI утворення F-центрів механізм розробка датчиків |
| Дата публікації: | тра-2019 |
| Видавництво: | НТУ “ХПІ” |
| Бібліографічний опис: | Трефiлова Л.М., Положій Е.М., Лебединський О.М., Шпилинська О.Л. Фактори, що впливають на радіаційне пошкодження сцинтиляційного кристала CSI / Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров’я: тези доповідей ХXVІІ міжнародної науково-практичної конференції MicroCAD-2019, 15–17 травня 2019 р.: у 5 ч. Ч. V. / за ред. проф. Сокола Є.І. – Харків: НТУ “ХПІ”. – с. 143. |
| Короткий огляд (реферат): | Відповідно до проведених експериментів, під час опромінення навіть відносно невеликими дозами 1-100 Гр у кристалі CsI утворюються F-центри. Причиною їх утворення є забрудненість домішками OH–- і CO3 2–-іонів. Вказані іони утворюються внаслідок процесів гідролізу і піролізу, що проходять у процесі вирощування кристала CsI. У доповіді запропоновано механізм утворення F-центрів за участю вказаних кисневмісних іонів |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/9421 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра спеціальної хімії та хімічної технології |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ТЕЗИ MicroCAD 2019 ВІТВ НТУ ХПІ-Трефилова.pdf | Утворення F- центрів кристала CsI | 389,73 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.