Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13397
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorВыдай, Юрий Т.-
dc.contributor.authorГресь, Валерия Ю.-
dc.contributor.authorДобротворская, Мария В.-
dc.contributor.authorЗаславский, Борис Г.-
dc.contributor.authorKudin, Alexander M.-
dc.date.accessioned2021-07-24T12:25:14Z-
dc.date.available2021-07-24T12:25:14Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.citationСцинтилляционные материалы и их применение. Екатеринбург, 2000. - с.34-35ru_RU
dc.identifier.urihttp://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13397-
dc.description.abstractИсследованы монокристаллы NaI(Tl) и CsI(Na) с оптимальной концентрацией активаторов. Для изучения свойств приповерхностного слоя использовались гамма-кванты с энергией 5,9; 17 и 60 КэВ и альфа-частицы с энергией 5,15 МэВ. Показано, что природа мертвого слоя в указанных сцинтилляторах различна.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherУрПИru_RU
dc.relation.ispartofseries;с. 34-35-
dc.subjectмертвый слойru_RU
dc.subjectкристаллы CsI(Na)ru_RU
dc.subjectглубина проникновенияru_RU
dc.subjectсцинтилляционная эффективностьru_RU
dc.titleПроцессы, приводящие к образованию мертвого слоя в кристаллах NaI(Tl) и CsI(Na)ru_RU
dc.typeArticleru_RU
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
died_layer.doc54 kBMicrosoft WordПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.