Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13397
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Выдай, Юрий Т. | - |
dc.contributor.author | Гресь, Валерия Ю. | - |
dc.contributor.author | Добротворская, Мария В. | - |
dc.contributor.author | Заславский, Борис Г. | - |
dc.contributor.author | Kudin, Alexander M. | - |
dc.date.accessioned | 2021-07-24T12:25:14Z | - |
dc.date.available | 2021-07-24T12:25:14Z | - |
dc.date.issued | 2000 | - |
dc.identifier.citation | Сцинтилляционные материалы и их применение. Екатеринбург, 2000. - с.34-35 | ru_RU |
dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13397 | - |
dc.description.abstract | Исследованы монокристаллы NaI(Tl) и CsI(Na) с оптимальной концентрацией активаторов. Для изучения свойств приповерхностного слоя использовались гамма-кванты с энергией 5,9; 17 и 60 КэВ и альфа-частицы с энергией 5,15 МэВ. Показано, что природа мертвого слоя в указанных сцинтилляторах различна. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | УрПИ | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | ;с. 34-35 | - |
dc.subject | мертвый слой | ru_RU |
dc.subject | кристаллы CsI(Na) | ru_RU |
dc.subject | глубина проникновения | ru_RU |
dc.subject | сцинтилляционная эффективность | ru_RU |
dc.title | Процессы, приводящие к образованию мертвого слоя в кристаллах NaI(Tl) и CsI(Na) | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
died_layer.doc | 54 kB | Microsoft Word | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.