Процессы, приводящие к образованию мертвого слоя в кристаллах NaI(Tl) и CsI(Na)

Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13397

Title:	Процессы, приводящие к образованию мертвого слоя в кристаллах NaI(Tl) и CsI(Na)
Authors:	Выдай, Юрий Т. Гресь, Валерия Ю. Добротворская, Мария В. Заславский, Борис Г. Kudin, Alexander M.
Keywords:	мертвый слой кристаллы CsI(Na) глубина проникновения сцинтилляционная эффективность
Issue Date:	2000
Publisher:	УрПИ
Citation:	Сцинтилляционные материалы и их применение. Екатеринбург, 2000. - с.34-35
Series/Report no.:	;с. 34-35
Abstract:	Исследованы монокристаллы NaI(Tl) и CsI(Na) с оптимальной концентрацией активаторов. Для изучения свойств приповерхностного слоя использовались гамма-кванты с энергией 5,9; 17 и 60 КэВ и альфа-частицы с энергией 5,15 МэВ. Показано, что природа мертвого слоя в указанных сцинтилляторах различна.
URI:	http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13397
Appears in Collections:	Кафедра фізико-математичних дисциплін

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
died_layer.doc		54 kB	Microsoft Word	View/Open