Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13397| Назва: | Процессы, приводящие к образованию мертвого слоя в кристаллах NaI(Tl) и CsI(Na) |
| Автори: | Выдай, Юрий Т. Гресь, Валерия Ю. Добротворская, Мария В. Заславский, Борис Г. Kudin, Alexander M. |
| Ключові слова: | мертвый слой кристаллы CsI(Na) глубина проникновения сцинтилляционная эффективность |
| Дата публікації: | 2000 |
| Видавництво: | УрПИ |
| Бібліографічний опис: | Сцинтилляционные материалы и их применение. Екатеринбург, 2000. - с.34-35 |
| Серія/номер: | ;с. 34-35 |
| Короткий огляд (реферат): | Исследованы монокристаллы NaI(Tl) и CsI(Na) с оптимальной концентрацией активаторов. Для изучения свойств приповерхностного слоя использовались гамма-кванты с энергией 5,9; 17 и 60 КэВ и альфа-частицы с энергией 5,15 МэВ. Показано, что природа мертвого слоя в указанных сцинтилляторах различна. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/13397 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| died_layer.doc | 54 kB | Microsoft Word | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.