Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/2365
Назва: Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe
Автори: Пирогов, Олександр Вікторович
Хрипунов, Геннадий Семенович
Новиков, Виталий Александрович
Ковтун, Назар Анатольевич
Дата публікації: 2015
Видавництво: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Бібліографічний опис: Физика и техника полупроводников
Короткий огляд (реферат): C целью оптимизации конструктивно-технологических решений фронтальных электродов были проведены сопоставительные исследования выходных параметров и световых диодных характеристик пленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au и SnO2 : F/CdS/CdTe/Cu/Au. Установлено, что большее напряжение и больший фактор заполнения солнечных элементов при использовании в конструкции пленок SnO2:F обусловлены меньшими значениями плотности диодного тока насыщения и последовательного сопротивления, что обусловлено устойчивостью кристаллической структуры и электрических свойств этих пленок к ”хлоридной“ обработке базового слоя при изготовлении приборной структуры. В то же время солнечные элементы с фронтальным электродом ITO имеют б´ольшую плотность тока короткого замыкания, что обусловлено б´ольшим средним коэффициентом пропускания слоев ITO. Использование в конструкции фронтальных контактов ITO наноразмерных слоев SnO2 позволяет увеличить эффективность солнечных элементов на основе CdS/CdTe до 11.4% за счет стабилизации кристаллической структуры и электрических свойств пленок ITO, а также возможности снижения толщины слоя сульфида кадмия без шунтирования приборной структуры.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/2365
ISSN: 0015-3222
Розташовується у зібраннях:Кафедра пожежної профілактики в населених пунктах

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
41464.pdfОсновная статья217,06 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.