Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/2489
Назва: Crystal Structure of Nanoscale Tin Dioxide Films Produced by Magnetron Sputtering
Автори: Пирогов, Олександр Вікторович
Sokol, Yevgen Ivanovych
Klochko, Natalya Petrovna
Novikov, Vitaliy Aleksandrovich
Khrypunov, Gennadiy Semenovych
Klepikova, Katerina Sergeevna
Ключові слова: tin dioxide
crystal structure
gas sensor
electron microscopy
Дата публікації: кві-2014
Видавництво: National Technical University of Ukraine "Kyiv Polytechnic Institute"
Бібліографічний опис: Conference proceeding 34th International Scientific Conference on Electronics and nanotechnology (ELNANO)
Короткий огляд (реферат): Investigation of direct current magnetron sputtering parameters effects on the crystal structure of gas sensitive tin dioxide films has revealed that the change in the substrate temperature and in the film thickness leads to the transition from the condensation of metastable conglomerates of amorphous globules to the ≈15 nm SnO2 crystallites with three-dimensional shape and well-defined edges. The dependence of the SnO2 structure from the working Ar-O2 gas mixtures and from their humidity evidences the significant role of the adsorption in the kinetics of the magnetron sputtering of tin dioxide. Due to the adsorption the morphological and dimensional characteristics of the tin dioxide films demonstrate the anomalous stability of the amorphous globules with their enhanced specific surface energy and the stabilization of the amorphous state, selectively retained even after the SnO2 film reach in general the critical thickness of the crystallization.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/2489
ISBN: 978-1-4799-4582-5
Розташовується у зібраннях:Кафедра пожежної профілактики в населених пунктах

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ELNANO-2014_моя статья.pdfОсновная статья1,14 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.