Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4713
Назва: | The effect of oxygen-containing anions on luminescent properties of CsI |
Інші назви: | Влияние кислородсодержащих анионов на люминесцентные свойства кристаллов CsI |
Автори: | Shpilinskaya Larisa N. Zaslavsky Boris G.; Kovaleva L.V.; Vasetsky S.I. Kudin, Alexander M. |
Ключові слова: | luminescence emission centres cesium iodide oxygen-containing anions |
Дата публікації: | 2000 |
Бібліографічний опис: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 3, 2 (2000) 178-180 |
Короткий огляд (реферат): | Abstract. It has been found that from the series of oxygen-containing impurities CO32–, SO42–, HCO3–, OH–, IO3–, NO3–, NO2–, CNO–, BO2– only the bivalent ions stimulate an intensive blue luminescence in CsI crystals at UV- or gamma-excitation. The blue luminescence intensity is higher in CsI(CO3) than in CsI(SO4) crystals. The nature of blue luminescence components has been considered and two types of centres have been suggested: the impurity type – CO32–-Va+ (395 nm) and the structural one – Va+-Vc– (435 nm). A method of deep purification of the melt from oxygen-containing anions during the growth process has been proposed. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4713 |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра фізико-математичних дисциплін |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Quantum_electronics.pdf | 101,79 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.