Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4713
Назва: The effect of oxygen-containing anions on luminescent properties of CsI
Інші назви: Влияние кислородсодержащих анионов на люминесцентные свойства кристаллов CsI
Автори: Shpilinskaya Larisa N.
Zaslavsky Boris G.; Kovaleva L.V.; Vasetsky S.I.
Kudin, Alexander M.
Ключові слова: luminescence
emission centres
cesium iodide
oxygen-containing anions
Дата публікації: 2000
Бібліографічний опис: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 3, 2 (2000) 178-180
Короткий огляд (реферат): Abstract. It has been found that from the series of oxygen-containing impurities CO32–, SO42–, HCO3–, OH–, IO3–, NO3–, NO2–, CNO–, BO2– only the bivalent ions stimulate an intensive blue luminescence in CsI crystals at UV- or gamma-excitation. The blue luminescence intensity is higher in CsI(CO3) than in CsI(SO4) crystals. The nature of blue luminescence components has been considered and two types of centres have been suggested: the impurity type – CO32–-Va+ (395 nm) and the structural one – Va+-Vc– (435 nm). A method of deep purification of the melt from oxygen-containing anions during the growth process has been proposed.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/4713
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Quantum_electronics.pdf101,79 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.