Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6098| Назва: | Formation of filamentary structures of oxide on the surface of monocrystalline gallium arsenide |
| Автори: | Вамболь, Сергій Олександрович Богданов, Ігор Тимофійович Вамболь, Віола Владиславівна Сичікова, Яна Олександрівна Кондратенко, Олександр Миколайович Нестеренко, Т. П. Онищенко, С. В. |
| Ключові слова: | Gallium Arsenide, Semiconductor, Nanowires, Electrochemical Etching, Electrolyte |
| Дата публікації: | 15-лис-2017 |
| Видавництво: | Sumy State Univercity |
| Бібліографічний опис: | Formation of filamentary structures of oxide on the surface of monocrystalline gallium arsenide [Text] / S.O. Vambol, I.T. Bohdanov, V.V. Vambol, Y.O. Suchikova, O.M. Kondratenko, T.P. Nesterenko, S.V. Onyschenko // Journal of Nano- and Electronic Physics. – Vol. 9, № 6. – Sumy: Sumy State Univercity, 2017. – pp. 06016-1 – 06016-4. – Access mode: http://jnep.sumdu.edu.ua:8080/download/numbers/2017/6/articles/JNEP_06016.pdf. |
| Короткий огляд (реферат): | The method of forming filamentary oxide nanocrystals on a surface of monocrystalline gallium arsenide. Nanowires were formed by electrochemical etching in hydrochloric acid and methyl. Reviewed morphological properties of the structures and the possibility of their use as gas sensors. The stability properties of nanowires is ensured by the oxide phase at their tops and on the surface. The slope of the nanowires is explained on the basis of the stability of crystallographic planes of their faces |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6098 |
| ISSN: | 2077-6772 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра прикладної механіки |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| VambolSO_BogdanovIT_VambolVV_SuchikovaYO_KondratenkoOM_etc_JNEP-#9-6_2017.pdf | 582,22 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.