Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6101Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | S. Vambol | - |
| dc.contributor.author | V. Vambol | - |
| dc.contributor.author | I . Bogdanov | - |
| dc.contributor.author | Y . Suchikova | - |
| dc.contributor.author | O . Kondratenko | - |
| dc.date.accessioned | 2018-01-10T09:20:37Z | - |
| dc.date.available | 2018-01-10T09:20:37Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | 2017 IEEE 7th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP – 2017) | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6101 | - |
| dc.description.abstract | Образцы пористого InP выращивали методом анодного электрохимического травления на подложке (100) InP n-type. Образцы были охарактеризованы сканирующей электронной микроскопией (SEM) и фотолюминесценцией (PL), где в PL наблюдался синий сдвиг. Снять поверхностные оксиды с поверхности пористого InP, используя термическую очистку образцов в потоке высокой чистоты водорода. Химический состав поверхности пористого n-InP после исследования методом водородного зондирования методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Размер стен между порами составляет 3-11 нм. | ru_RU |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | ;DOI: 10.1109 / NAP.2017.8190154 | - |
| dc.subject | Фосфид индия | ru_RU |
| dc.subject | морфология поверхности | ru_RU |
| dc.subject | травление | ru_RU |
| dc.subject | фотолюминесценция | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые материалы III-V | ru_RU |
| dc.title | Morphologies and Photoluminescence Properties of Porous n-InP | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра прикладної механіки | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 7-PB.pdf | 543,1 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.