Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6101| Назва: | Morphologies and Photoluminescence Properties of Porous n-InP |
| Автори: | S. Vambol V. Vambol I . Bogdanov Y . Suchikova O . Kondratenko |
| Ключові слова: | Фосфид индия морфология поверхности травление фотолюминесценция полупроводниковые материалы III-V |
| Дата публікації: | 2017 |
| Бібліографічний опис: | 2017 IEEE 7th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP – 2017) |
| Серія/номер: | ;DOI: 10.1109 / NAP.2017.8190154 |
| Короткий огляд (реферат): | Образцы пористого InP выращивали методом анодного электрохимического травления на подложке (100) InP n-type. Образцы были охарактеризованы сканирующей электронной микроскопией (SEM) и фотолюминесценцией (PL), где в PL наблюдался синий сдвиг. Снять поверхностные оксиды с поверхности пористого InP, используя термическую очистку образцов в потоке высокой чистоты водорода. Химический состав поверхности пористого n-InP после исследования методом водородного зондирования методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Размер стен между порами составляет 3-11 нм. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/6101 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра прикладної механіки |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 7-PB.pdf | 543,1 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.